中国学者用飞秒激光制备量子存储器
中新网合肥3月8日电 (记者 吴兰)中国科学技能大学8日动静：该校郭光灿院士团队在量子存储范畴获得首要希望——用飞秒激光技能制备出高机能可集成固态量子存储器。相干功效别离于近日颁发在闻名物理学期刊Optica和Physical Review Applied上。
据先容，团队李传锋、周宗权等人采纳飞秒激光微加工技能制备出高保真度的可集成固态量子存储器，并基于自立研制装备初次实现汐止汽車借款,稀土离子的电子自旋及核自旋相关寿命的周全晋升。
量子存储器是构建量子收集的焦点器件，它可以有用地降服信道消耗从而拓展量子通讯的事情间隔而且可以整合分处异地的量子计较及量子传感资本。
当前固态量子存储器钻研面对两方面的挑战，一方面，已有的固态聚左旋乳酸,量子存储实行利用的存储介质大可能是块状晶体，这类质料不克不及直接对接光纤收集或集成光学芯片，难以实现大范围扩大性利用；另外一方面，稀土离子的电子自旋及核自旋与晶体内声子互相感化，致使量子存储器的相关寿命紧张受限。为了推动量子存储器的适用化，钻研组从质料加工与测试设备着手对以上问题开展体系性钻研。
为解决扩大性问题，钻研组采纳飞秒激光微加汽機車借款,工技能初次在掺铕硅酸钇晶体中刻蚀台中當舖,出光波导，研制出可集成的固态量子存储器。实行测定两种方案对应的保真度别离跨越99%和97%，表白这类可集成量子存储器具备很高的靠得住性。
针对相关寿命受限的问题，此前国际学术界广泛认为深低温(0.5K)的脉冲式电子与核自旋双共振谱仪是个没法实现的使命。钻研组在解决了系列技能困难后，乐成搭建出国际首个深低温脉冲式电子与核自旋双共振谱仪，并严酷标定其最低事情温度为0.1K。
在0.1K温度下，测得掺钕硅酸钇晶体的自旋回波旌旗灯号的信噪比比拟4K温度下晋升了20倍，电子自旋的布居数寿命和相关寿命别离到达15秒和2毫秒，同时核自旋的布居数寿命和相关寿命则别离到达10分钟和40毫秒，这四项寿命指标比拟4K温度下均实现跨越一个数目级的晋升。
Physical Review Applied审稿人评价认为，从4K到100mK，电子自旋及核自旋的相关寿命都实现跨越一个数目级的晋升。这是初次在稀土离子中经由过程深低温察看到自旋相关寿命的显著加强。 【编纂:田博群】 更多出色内容请进入海内消息
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